El transistor és un dispositiu electrònic semiconductor-.- que complix funcions d'amplificador, oscil·lador, commutador o rectificador. El terme "transistor" és la contracció en anglés de transfer resistor ("resistència de transferència"). Actualment se'ls troba pràcticament en tots els artefactes domèstics d'ús diari: ràdios, televisors, gravadores, reproductors d'àudio i vídeo, forns de microones, llavadores, automòbils, equips de refrigeració, alarmes, rellotges de quars, computadores, calculadores, impressores, llums fluorescents, equips de rajos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductors mp3, cel·lulars, etc.
Va ser el substitut de la vàlvula termoiònica de tres elèctrodes o tríode, el transistor bipolar va ser inventat en els Laboratoris Bell d'EE. UU. al desembre de 1947 per John Bardeen, Walter Houser Brattain i William Bradford Shockley, els que van ser guardonats amb el Premi Nobel de Física en 1956.
Al principi es van usar transistors bipolars i després es van inventar els denominats transistors d'efecte de camp (FET). En els últims, el corrent entre la font i la pèrdua (col·lector) es controla usant un camp elèctric (eixida i pèrdua (col·lector) menors). Finalment, va aparéixer el semiconductor metall-òxid FET (MOSFET). Els MOSFET van permetre un disseny extremadament compacte, necessari per als circuits altament integrats (IC). Hui la majoria dels circuits es construïxen amb la denominada tecnologia CMOS (semiconductor metall-òxid complementari). La tecnologia CMOS és un disseny amb dos diferents MOSFET (MOSFET de canal n i p), que es complementen mútuament i consumixen molt poc corrent en un funcionament sense càrrega.
El transistor consta d'un substrat (usualment silici) i tres parts dopades artificialment (contaminades amb materials específics en quantitats específiques) que formen dos unions bipolars, l'emissor que emet portadors, el col·lector que els rep o recol·lecta i la tercera, que està intercalada entre les dos primeres, modula el pas dels dits portadors (base). A diferència de les vàlvules, el transistor és un dispositiu controlat per corrent i del que s'obté corrent amplificada. En el disseny de circuits als transistors se'ls considera un element actiu, a diferència dels resistores, capacitores i inductors que són elements passius. El seu funcionament només pot explicar-se per mitjà de mecànica quàntica.
De manera simplificada, el corrent que circula pel "col·lector" és funció amplificada de la que s'injecta en el "emissor", però el transistor només gradua el corrent que circula a través de si mateix, si des d'una font de corrent continu s'alimenta la "base" perquè circule la càrrega pel "col·lector", segons el tipus de circuit que s'utilitze. El factor d'amplificació aconseguit entre corrent de base i corrent de col·lector, es denomina Beta del transistor. Altres paràmetres a tindre en compte i que són particulars de cada tipus de transistor són: Tensions de ruptura de Col·lector Emissor, de Base Emissor, de Col·lector Base, Potència Màxima, dissipació de calor, freqüència de treball, i unes quantes taules on es grafican els distints paràmetres com ara corrent de base, tensió Col·lector Emissor, tensió Base Emissor, corrent d'Emissor, etc. Els tres tipus d'esquemes bàsics per a utilització analògica dels transistors són emissor comú, col·lector comú i base comú.
Models posteriors al transistor descrit, el transistor bipolar (transistors FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilitzen el corrent que s'injecta en el terminal de "base" per a modular el corrent d'emissor o col·lector, sinó la tensió present en el terminal de porta o reixa de control i gradua la conductància del canal entre els terminals de Font i Drenador. D'esta manera, el corrent d'eixida en la càrrega connectada al Drenador (D) serà funció amplificada de la Tensió present entre la Puerta (Gate) i Font (Source). El seu funcionament és anàleg al del tríode, amb l'excepció que en el tríode els equivalents a Puerta, Drenador i Font són Reixa, Placa i Càtode.
Els transistors d'efecte de camp, són els que han permés la integració a gran escala que disfrutem hui en dia, per a tindre una idea aproximada poden fabricar-se diversos milers de transistors interconnectats per centímetre quadrat i en unes quantes capes superposades.
